Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2132MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN2132
RN2132MFV,L3F Hakkında
RN2132MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen PNP ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. Dahili 200kΩ base direnci sayesinde bağımsız base biasing gerekli değildir. 150mW maksimum güç tüketimi ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Tipik olarak lojik seviyeleri değiştirme, gösterge kontrolü, sensör arayüzleri ve taşıyıcı kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 120 (minimum) DC akım kazancı ve 300mV doyum gerilimi ile düşük çıkış gerilimi gerektiren devrelerde etkili bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 200 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok