Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2119MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN2119
RN2119MFV,L3F Hakkında
RN2119MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen yüksek entegrasyonlu ön beslemeli PNP transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımıyla çalışmaktadır. DC akım kazancı (hFE) 120 minimum değer taşıyor (1mA, 5V şartlarında). Maksimum 150mW güç tüketimi ve 1kOhm entegre base direnci ile hazırlanmış olan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, sinyal işleme devreleri ve düşük güçlü lojik kontrol sistemlerinde tercih edilir. 300mV satürasyon voltajı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Küçük yüzey montaj paketinin avantajıyla, kompakt PCB tasarımlarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok