Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2116MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN2116
RN2116MFV,L3F Hakkında
RN2116MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar transistördür. SOT-723 yüzeye monte pakette sunulan bu transistör, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımında çalışmaya uygundur. Dahili 4.7kΩ base direnci ve 10kΩ emitter-base direnci ile ön yapılandırılmış olan bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve sinyal işleme işlevleri gerçekleştirir. 150mW maksimum güç disipasyonu ve 50 minimum DC akım kazancı (hFE) ile sayısal lojik devreleri, sensör uygulamaları ve düşük akım yük kontrolü gibi alanlarda kullanılır. Aktif durumda olan bu komponent, gürültü duyarlı uygulamalarda güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok