Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2112MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN2112
RN2112MFV,L3F Hakkında
RN2112MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) BJT transistördür. 50V maksimum Vce darbelenme voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı ile düşük güç uygulamalarında çalışmak üzere tasarlanmıştır. Entegre 22kΩ baz direnci sayesinde harici ön beslemeli dirençlere ihtiyaç duyulmaz. 300mV doyum voltajı ve 150mW maksimum güç disipasyonu ile sinyal anahtarlaması, sayısal kontrol devreleri ve DC/DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. SOT-723 çok küçük yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, dar alanlı mobil ve taşınabilir elektronik cihazlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok