Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2109MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN2109
RN2109MFV,L3F Hakkında
RN2109MFV,L3F, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50V kollektör-emitter gerilimi ve 100mA kollektör akımına dayanabilir. Entegre 47kΩ taban direnci ve 22kΩ emitter-baz direnci sayesinde ek biyaslandırma devresi gerektirmeden kullanılabilir. 150mW maksimum güç tüketimi ile anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında tercih edilir. Düşük kesim akımı (500nA) ve 70 minimum DC akım kazancı, sensör arayüzleri, lojik seviye kaydırma, transistör anahtarları ve genel sinyal işleme devrelerinde kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok