Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2107MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN2107
RN2107MFV,L3XHF(CT Hakkında
RN2107MFV, Toshiba tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-723 yüksek yoğunluk yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, otomotiv uygulamaları için AEC-Q sertifikasyonuna sahiptir. 10 kOhms base direnci ve 47 kOhms emitter-base direnci ile entegre olarak tasarlanmıştır. 100 mA maksimum collector akımı, 150 mW güç yönetimi kapasitesi ve 50 V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 10 mA, 5V koşullarında minimum 80 değerindedir. Düşük 300 mV satürasyon voltajı sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimlilik sağlar. Sinyali yönetme, voltaj kontrolü ve gücü sınırlama işlevleri gerektiren endüstriyel ve otomotiv devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok