Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2107MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN2107
RN2107MFV,L3F(CT Hakkında
RN2107MFV,L3F(CT, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V kollektör-emitter gerilimi ve 100mA kollektör akımı özellikleriyle kompakt uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Transistör içerisine entegre 10kΩ baz ve 47kΩ emitter-baz dirençleri, ön yükleme işlevini sağlayarak harici ön yükleme devresi gereksiniminim azaltır. 150mW maksimum güç derecelendirilmesine sahip olan RN2107, 80'lik minimum DC akım kazancı (hFE) ile düşük akımlı anahtarlama ve lojik uygulamalarında tercih edilir. Düşük kolektör cutoff akımı (500nA) ve 300mV maksimum doyum gerilimi, enerji tasarruflu devre tasarımlarında uygulanabilirliğini artırır. Tüketici elektroniği, sensör arayüzleri ve sinyal anahtarlaması gibi hassas kontrol gerektiren uygulamalarda sıkça kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok