Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN2107MFV,L3F

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

Paket/Kılıf
SOT-723
Seri / Aile Numarası
RN2107

RN2107MFV,L3F Hakkında

RN2107MFV, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 100 mA kollektör akımı ve 50V gerilim dayanımı ile tasarlanmıştır. Dahili 10 kΩ base direnç ve 47 kΩ emitter-base direnç ile ön beslemeli konfigürasyonda çalışır. 80'lik minimum akım kazancı (hFE) ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 150 mW güç tüketimine ve 300 mV doyum gerilimi karakteristiğine sahiptir. Düşük güç tüketimi ve kompakt boyut nedeniyle taşınabilir elektronik cihazlar, sensör arabirimleri ve sinyal işleme devrelerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-723
Part Status Active
Power - Max 150 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package VESM
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok