Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2106(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- RN2106
RN2106(T5L,F,T) Hakkında
RN2106(T5L,F,T), Toshiba tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli bipolar junction transistördür (BJT). SC-75 / SOT-416 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre içerisine 4.7kΩ baz ve 47kΩ emitter-baz dirençleri içermektedir. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük sinyal seviyesinde anahtarlama ve ön beslemeli uygulamalarda kullanılır. 200MHz transition frequency ile hızlı komütasyon yetenekine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) minimum 80 (10mA, 5V koşullarında) olup, 100mW maksimum güç tüketimi ile mobil cihazlar, sensör arabirimleri ve lojik seviye dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SSM |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok