Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2105MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=2.2K, Q1BER
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN2105
RN2105MFV,L3XHF(CT Hakkında
Toshiba RN2105MFV,L3XHF(CT, SOT-723 paketinde sunulan PNP ön beslemeli transistördür. Entegre baz dirençleri (2.2 kΩ Q1BSR ve 47 kΩ Q1BER) ile tasarlanmış olan bu komponent, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 100 mA kolektör akımı, 250 MHz transition frequency ve 50 V breakdown voltajı ile sinyal işleme, lojik seviye uyuştirma ve düşük güçlü anahtar devreleri için uygun olup, otomotiv standardları (AEC-Q) karşılamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok