Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2105MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN2105
RN2105MFV,L3F(CT Hakkında
Toshiba RN2105MFV,L3F(CT, PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-723 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 50V maksimum Vce darbelenme gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 250 MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. İçerisinde 2.2kΩ baz direnci ve 47kΩ emiter-baz direnci bulunmakta olup, 150mW maksimum güç yayınlayabilir. DC akım kazancı 80 (Ic=10mA, Vce=5V koşullarında) karakteristiğine sahiptir. Tipik uygulamalar arasında sayısal lojik seviye değiştirme, darbe şekillendirme, sinyal anahtarlaması ve düşük güçlü anahtarlama devreleri yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok