Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2105ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Seri / Aile Numarası
- RN2105
RN2105ACT(TPL3) Hakkında
RN2105ACT(TPL3), Toshiba tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli bipolar junction transistördür. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 80mA maksimum collector akımı ile çalışan bu bileşen, 100mW güç tüketimine sahiptir. SC-101/SOT-883 surface mount paketinde sunulan komponent, dahili 2.2kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleriyle donatılmıştır. DC current gain değeri 10mA, 5V koşullarında minimum 80'dir. Vce saturation voltajı 250µA base akımı ve 5mA collector akımında 150mV'tur. 500nA maksimum collector cutoff akımı ile düşük sızıntı akımına sahiptir. Ön beslemeli yapısı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında ve lojik seviyelendirme devrelerinde kullanılır. Otomotiv, endüstriyel kontrol ve tüketici elektronikleri uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | CST3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok