Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2102MFV,L3XHF(CT
AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER=
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- RN2102MFV
RN2102MFV,L3XHF(CT Hakkında
Toshiba RN2102MFV,L3XHF(CT, PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-723 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, kollektör akımı maksimum 100mA, geçiş frekansı 250MHz ve 50V çıkmazlık voltajı özellikleriyle donatılmıştır. İçerisinde 10kΩ base ve emitter-base dirençleri barındırır. 150mW güç dağıtım kapasitesi ve AEC-Q otomoasındaydı sertifikasyonuyla otomotiv uygulamalarında kullanım için tasarlanmıştır. Düşük sızdırma akımı (500nA) ve yüksek akım kazancı (hFE min 50 @ 10mA, 5V), anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu gerektiren devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok