Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN2102CT(TPL3)
TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Seri / Aile Numarası
- RN2102CT
RN2102CT(TPL3) Hakkında
RN2102CT(TPL3), Toshiba tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistör (BJT) olup, entegre baz ve emitter dirençleri ile tasarlanmıştır. Maksimum 50 mA kolektör akımı, 20 V Vce breakdown voltajı ve 50 mW güç tüketimine sahiptir. Kolektör cutoff akımı maksimum 500 nA, DC akım kazancı (hFE) en az 60 (10 mA, 5V şartlarında) değerindedir. SC-101 (SOT-883) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında, işaret anahtarlaması, lojik seviyeleri sürme ve darbe biçimlendirme devrelerinde kullanılır. Tümleşik 10 kΩ baz ve emitter dirençleri sayesinde ayrı ön beslemeli ağ bileşenlerine gerek duymadan doğrudan lojik devrelere bağlanabilir. Endüstri, tüketici elektronikleri ve haberleşme cihazlarında yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 50 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | CST3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok