Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1970FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1970FE
RN1970FE(TE85L,F) Hakkında
RN1970FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. Ön beslemeli yapısı sayesinde ayrı polarizasyon bileşenleri gerektirmeden kullanılabilir. 250MHz transition frequency ile hızlı komütasyon uygulamalarında tercih edilir. Maximum 100mA collector akımı ve 50V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında yer alır. SOT-563/ES6 surface mount paketi, kompakt ve yüksek yoğunluklu tasarımlar için uygundur. Yaygın kullanım alanları: lojik seviye kaydırıcılar, darbe jeneratörleri, sürücü devreleri ve RF uygulamaları. Artan base direnci (4.7kOhms) ile sınırlı akım tarafından kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok