Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

RN1969FE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
RN1969FE

RN1969FE(TE85L,F) Hakkında

RN1969FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563/SOT-666 Surface Mount paketinde sunulan bu komponent, 100mW güç kapasitesine ve 250MHz transition frequency'ye sahiptir. Maksimum 100mA kollektör akımı ile çalışabilen transistör, 50V VCEO breakdown voltajına dayanıklıdır. Dahili 47kΩ base resistor ve 22kΩ emitter-base resistor ile ön beslemeli yapısı sayesinde, hızlı anahtarlama uygulamalarında doğrudan kullanılabilir. DC akım kazancı 70 @ 10mA, 5V koşullarında ölçülmüştür. 300mV VCE(sat) değeri ile düşük saturasyon voltajı sunar. Mantık devreler, dijital uygulamalar ve CPU interface alanlarında yaygın olarak kullanılmıştır. Bileşen Obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Obsolete
Power - Max 100mW
Resistor - Base (R1) 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22kOhms
Supplier Device Package ES6
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok