Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1968FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1968
RN1968FE(TE85L,F) Hakkında
RN1968FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen çift NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 paketlerde sunulan bu bileşen, 100mA maksimum kolektor akımı ve 250MHz transit frekansı ile entegre anahtarlama uygulamalarında kullanılır. İçerisinde 22kΩ taban ve 47kΩ emiter-taban dirençleri ile önceden ayarlandığından, hassas ön beslemeli devre tasarımlarında tercih edilir. 50V maksimum kolektor-emiter breakdown gerilimi ve 300mV satürasyon gerilimi ile düşük güçlü sinyal işleme, lojik seviye dönüştürme ve PWM uygulamalarına uygundur. 100mW maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. Güncel ürün olarak yerini almış olsa da, mevcut stoklar endüstriyel ve onarım uygulamalarında kullanılmaya devam etmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok