Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1967FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1967FE
RN1967FE(TE85L,F) Hakkında
RN1967FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563/SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre olarak tasarlanmış iki adet NPN transistörü içerir. Her transistör için dahili ön beslemeli (pre-biased) direnç ağı bulunur; taban direnci 10kΩ ve emitter-taban direnci 47kΩ'dur. 100mW güç kapasitesine, 100mA maksimum kolektör akımına ve 250MHz geçiş frekansına sahiptir. Vce doyma gerilimi 300mV'tur. 50V kolektör-emitter bozulma gerilimi ile orta frekanslı sinyal işleme, anahtarlama ve sürücü uygulamalarında kullanılır. Kompakt tasarımı sayesinde düşük akım ön beslemeli devreler için ekonomik bir çözümdür. Bileşenin üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok