Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1966FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1966
RN1966FE(TE85L,F) Hakkında
RN1966FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563/SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 250MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Dahili ön beslemeli dirençler (base: 4.7kΩ, emitter-base: 47kΩ) sayesinde harici devre tasarımını basitleştirir. 100mA maksimum kollektör akımı ve 80 minimum DC akım kazancı ile sinyallenme ve anahtarlama devrelerinde yer alır. 300mV saturasyon voltajı ve 50V VCEO kırılma gerilimi ile düşük ve orta voltaj uygulamalarında, özellikle sayısal mantık seviyelendirme, darbe üretimi ve küçük güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 100mW güç sınırlaması ile sınırlı güç tüketimi gerektiren tasarımlarda uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok