Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1965(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- RN1965
RN1965(TE85L,F) Hakkında
RN1965(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. 6-TSSOP (SC-88, SOT-363) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz ve emitter dirençleri ile hazır önyüklenmiş konfigürasyona sahiptir. 100mA maksimum kolektor akımı, 250MHz geçiş frekansı ve 50V kolektor-emitter voltajı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 200mW güç tüketimi ile sınırlı olan bu komponent, düşük gürültü amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri ve mantık seviyesi anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 2.2kΩ baz direnci ve 47kΩ emitter-baz direnci ile standartlaştırılmış kazanç özellikleri sunur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | US6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok