Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1965FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1965FE
RN1965FE(TE85L,F) Hakkında
RN1965FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563/SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 100mW güç kapasitesi ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Entegre 2.2kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleri ile ön yükleme sağlayan tasarımı, devresel karmaşıklığı azaltır. 250MHz geçiş frekansı, hızlı işaret işleme gerektiren uygulamalarda yer almasını mümkün kılar. 50V collector-emitter gerilim dağılımı ve 80 minimum DC akım kazancı ile genel sinyal işleme, mantık seviyelendirme ve driver devreleri için uygun bir çözümdür. Ürün üretimi durdurulmuş olup, mevcut stoklar sınırlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok