Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1964FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1964FE
RN1964FE(TE85L,F) Hakkında
RN1964FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. SOT-563/ES6 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 100mA collector akımı ve 250MHz transition frequency ile çalışır. Entegre 47kΩ base ve emitter-base dirençleriyle ön-beslemeli yapısı sayesinde, lojik seviyeleri direkt olarak kontrol edebilen load switch, buffer ve sinyal conditioning uygulamalarında kullanılır. 100mW güç dağıtımı ve 50V breakdown voltajı ile endüstriyel kontrol, aydınlatma sürücüleri ve genel amaçlı switching uygulamalarına uygundur. Maksimum 300mV Vce saturation voltajı düşük kayıp çalışmayı sağlar. (Üretim durdurulmuş - Obsolete)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok