Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

RN1963(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
RN1963

RN1963(TE85L,F) Hakkında

RN1963(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. 6-TSSOP (SC-88, SOT-363) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 200mW güç tüketimi ile çalışır. Her transistör için 22kΩ base ve emitter-base direnç içerir. 100mA maksimum collector akımı, 70 minimum DC akım kazancı (hFE @ 10mA, 5V), 250MHz transition frekansı ve 50V maksimum collector-emitter gerilimi ile karakterizedir. Saturation voltajı 300mV'dur (250µA base akımında, 5mA collector akımında). Ön beslemeli yapısı sayesinde sinyal amplifikasyon devrelerinde, lojik seviyelendirmede ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük güç tüketimi nedeniyle taşınabilir elektronik ve IoT cihazlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 200mW
Resistor - Base (R1) 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22kOhms
Supplier Device Package US6
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok