Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1963FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1963FE
RN1963FE(TE85L,F) Hakkında
RN1963FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. SOT-563 (ES6) yüzeye monte paketinde sunulan bu komponent, entegre baz ve emitter dirençleri ile önceden polarize edilmiş yapıya sahiptir. 100mA maksimum kolektör akımı ve 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 50V VCEO breakdown voltajı ve 300mV doyma voltajı özellikleriyle, dijital sinyal işleme, ses işleme ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşik yapısı sayesinde ayrı diskrit transistörler kullanmaya kıyasla devre tasarımını basitleştirir ve güvenilirliği artırır. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok