Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1961(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Seri / Aile Numarası
- RN1961
RN1961(TE85L,F) Hakkında
RN1961(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. 6-TSSOP (SC-88, SOT-363) yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, 200mW güç tüketimine sahiptir. Her bir transistör 4.7kΩ baz ve emitter-baz direnç değerleri ile ön beslemeli konfigürasyonda tasarlanmıştır. 100mA maksimum kolektör akımı, 250MHz transition frequency ve 50V breakdown voltage ile karakterize edilir. DC current gain (hFE) minimum değeri 10mA, 5V koşullarında 30'dur. Vce saturation 5mA akımda 300mV'tur. Anahtarlama uygulamaları, sinyal işleme, lojik seviye dönüşüm ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 200mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | US6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok