Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1961FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1961FE
RN1961FE(TE85L,F) Hakkında
RN1961FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. SOT-563/ES6 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 100mW güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 250MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Entegre 4.7kΩ base ve emitter base dirençleri sayesinde ön yüklemeli yapısı doğrudan mantık devrelerine bağlanmaya imkan tanır. Maksimum 100mA collector akımı ve 30 minimum DC current gain ile genel amaçlı anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve lojik seviye dönüşüm uygulamalarında kullanılır. 50V collector-emitter breakdown voltajı orta voltaj uygulamaları için uygun bir işletim aralığı sağlar. Not: Bu komponent üretim durdurulmuş (obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok