Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1911FETE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1911
RN1911FETE85LF Hakkında
RN1911FETE85LF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual NPN transistör dizisidir. SOT-563/ES6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, her iki transistörde entegre baz direnci (10kΩ) bulunduğundan ek biyaslandırma dirençleri gerektirmez. Maksimum 100mA kolektör akımı, 250MHz geçiş frekansı ve 50V kesme voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100mW güç derecelendirmesi ile düşük güçlü sinyaleme devrelerinde, dijital lojik arabirimlerde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Hızlı switching özellikleri sayesinde yüksek frekanslı uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok