Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1911FE,LF(CT
NPN X 2 BRT, Q1BSR=10KΩ, Q1BER=I
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1911
RN1911FE,LF(CT Hakkında
RN1911FE,LF(CT, Toshiba tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 paketlerde sunulan bu komponent, entegre 10kΩ base direnci ile birlikte gelir ve doğrudan lojik kontrol devrelerine bağlanabilir. Maksimum 100mA kolektör akımı, 250MHz transition frequency ve 50V breakdown voltajı ile sinyal yükseltme, anahtarlama ve lojik seviye dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 100mW güç dağıtımı sınırlaması ile düşük güçlü tasarımlarda tercih edilen bir çözümdür. Mobil cihazlar, ses sistemleri ve portatif elektronik ürünlerde yaygın kullanım alanı bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok