Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1910FE(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1910FE
RN1910FE(T5L,F,T) Hakkında
RN1910FE(T5L,F,T), Toshiba tarafından üretilen SOT-563/SOT-666 paketinde yüksek entegrasyon sağlayan dual NPN ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. Her transistör içerisinde entegre edilmiş baz direnci (4.7kΩ) ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirmek üzere tasarlanmıştır. 100mA maksimum kolektör akımı, 250MHz geçiş frekansı ve 50V kolektör-emiter kırılma gerilimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Logic seviyeleri, sinyal işleme, darbe kontrol ve endüstriyel elektronik devrelerde yaygın olarak yer alan bir komponenttir. 100mW maksimum güç derecelendirmesi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok