Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1910FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1910
RN1910FE,LF(CT Hakkında
RN1910FE,LF(CT, Toshiba tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563/SOT-666 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 100mW güç derecelendirmesi ve 250MHz transition frequency ile entegre uygulamalar için tasarlanmıştır. 4.7kΩ base direnci ve 120 minimum DC akım kazancı özellikleriyle sinyal anahtarlama ve lojik uygulamalarında kullanılır. 50V Vce breakdown voltajı ve 300mV saturation voltajı ile endüstriyel kontrol sistemleri, tüketici elektroniği ve düşük güçlü anahtarlama devreleri için uygundur. Active durumdaki ürün, güvenilir performans ve kompakt tasarım sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok