Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1909FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1909FE
RN1909FE(TE85L,F) Hakkında
RN1909FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. SOT-563 / SOT-666 paketinde sunulan bu komponent, entegre 47kΩ ve 22kΩ base dirençleri ile birlikte gelir. 100mA maksimum collector akımı, 250MHz transition frequency ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile karakterize edilmiştir. 100mW maksimum güç derecelendirmesine sahiptir. Ön beslemeli yapısı sayesinde basit anahtar ve lojik uygulamalarında direkt olarak kullanılabilir. Sinyal işleme, arayüz devreleri, LED sürücüsü ve düşük gücün dijital lojik uygulamalarında yaygın olarak yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok