Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1909FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1909FE
RN1909FE,LXHF(CT Hakkında
RN1909FE,LXHF(CT, Toshiba tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. SOT-563 (ES6) yüksek yoğunluk paketi içerisinde iki adet NPN transistör ve entegre base-emitter direnç ağı barındırır. Her transistör için 47kΩ base direnci ve 22kΩ emitter-base direnci önceden tanımlanmıştır. 100mA maksimum kolektör akımı, 250MHz geçiş frekansı ve 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. AEC-Q2 sınıflandırılması ile otomotiv endüstrisine uygunluk sağlar. Lojik seviyeleri sürme, sinyal anahtarlama, darbe oluşturma ve düşük-sinyal RF uygulamalarında kullanılır. 100mW maksimum güç dissipasyonu ile kompakt uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok