Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1906FE(T5L,F,T)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1906FE
RN1906FE(T5L,F,T) Hakkında
RN1906FE(T5L,F,T), Toshiba tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. SOT-563 / SOT-666 yüzey montajlı paketiyle sunulan bu komponent, maksimum 100mA kolektör akımı ve 250MHz geçiş frekansına sahiptir. İntegre 4.7kΩ baz ve 47kΩ emitter-baz dirençleriyle donatılmıştır. 100mW güç dağıtımına ve 50V kolektör-emitter kırılma gerilimi limitine sahiptir. Sinyal anahtarlama, lojik seviye dönüştürme ve düşük güçlü işaret amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. Ön beslemeli yapısı, harici baz direnci olmadan hızlı anahtarlama davranışı sağlar. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok