Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1905FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1905
RN1905FE,LF(CT Hakkında
RN1905FE,LF(CT, Toshiba tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. SOT-563/SOT-666 SMD paketinde sunulan bu komponent, 100mA maksimum collector akımı ve 250MHz transition frekansı ile işaret işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gömülü 2.2kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci ile ön beslemeli tasarımı sayesinde external biyasing elemanlarına ihtiyaç duymadan çalışabilir. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyal amplifikasyonu, lojik seviyeleri geçişi ve pulse generation devreleri için uygun bir çözümdür. 80 minimum DC current gain (hFE @ 10mA, 5V) performans karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok