Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1903FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=22KOHM
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1903FE
RN1903FE,LXHF(CT Hakkında
RN1903FE,LXHF(CT, Toshiba tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montaj kasalarında sunulan bu bileşen, otomotiv kalifikasiyon standardı AEC-Q olan uygulamalara uygundur. Her transistör 22kΩ base ve 22kΩ emitter base dirençleri ile ön beslemeli konfigürasyonda tasarlanmıştır. 250MHz transition frequency, 100mA maksimum kollektör akımı ve 50V breakdown voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100mW güç sınırlaması ve 300mV maksimum saturasyon voltajı ile düşük güçlü sinyal işleme devrelerinde, kontrol elektronikleri ve dijital kart tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok