Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1902FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1902
RN1902FE,LF(CT Hakkında
RN1902FE,LF(CT), Toshiba tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. SOT-563/ES6 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, her bir transistör çiftinde 10kΩ base ve 1kΩ emitter-base dirençleri entegre olarak bulunmaktadır. 100mA kollektör akımı, 250MHz transition frekansı ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 100mW güç sınırlaması ile düşük güç tüketimli devrelerde kullanılır. Ses amplifikasiyon, lojik seviye çevirme, sinyal anahtarlama ve sensör arayüzü gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok