Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1901FETE85LF
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- RN1901
RN1901FETE85LF Hakkında
RN1901FETE85LF, Toshiba tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. SOT-563 (ES6) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, iki adet NPN transistörün entegre base ve emitter dirençleri ile birlikte sağlanmasıyla karakterize edilir. Her transistör maksimum 100mA kollektor akımı, 250MHz transition frekansı ve 50V VCEO yıkılma gerilimi ile çalışabilir. 100mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Pre-biased yapısı sayesinde harici bias dirençlerine gerek kalmadan hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Tipik kullanım alanları arasında sinyal amplifikasyonu, lojik seviye çevirimi, LED sürücüsü ve anahtarlama devreler yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok