Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1710JE(TE85L,F)
NPN X 2 BRT, Q1BSR=4.7KΩ, Q1BER=
- Paket/Kılıf
- SOT-553
- Seri / Aile Numarası
- RN1710
RN1710JE(TE85L,F) Hakkında
Toshiba RN1710JE(TE85L,F), SOT-553 yüzey montajlı paket içinde entegre edilmiş dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. Her transistöre 4.7kΩ base resistör bağlı olup, emitter coupled konfigürasyonda çalışır. Maksimum 100mA collector akımı, 250MHz transition frekansı ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 120 minimum DC current gain (hFE), 100mW maksimum güç disipasyonu ve 300mV saturation voltajı ile lojik devre sürücüleri, darbe şekillendirme devreleri ve RF uygulamalarında tercih edilir. Kompakt yüzey montajlı yapısı, yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-553 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | ESV |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok