Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1709JE(TE85L,F)
NPN X 2 BRT, Q1BSR=47KΩ, Q1BER=2
- Paket/Kılıf
- SOT-553
- Seri / Aile Numarası
- RN1709JE
RN1709JE(TE85L,F) Hakkında
RN1709JE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. SOT-553 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre 47kΩ base ve 22kΩ emitter-base dirençleri ile ön beslemeli yapılandırma sağlar. 100mA maksimum kolektör akımı, 250MHz transition frequency ve 50V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uyguntur. Maksimum 100mW güç tüketimi ve 70 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile sürücü devrelerinde, sinyaleme uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Emitter coupled konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, kompakt tasarım gerektiren mobil, tüketici elektronikleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-553 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | ESV |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok