Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1708JE(TE85L,F)
NPN X 2 BRT, Q1BSR=22KΩ, Q1BER=4
- Paket/Kılıf
- SOT-553
- Seri / Aile Numarası
- RN1708JE
RN1708JE(TE85L,F) Hakkında
RN1708JE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. Emitter-coupled konfigürasyonda iki NPN transistörü içeren bu bileşen, entegre baz ve emitter dirençleriyle (22kΩ ve 47kΩ) yapılandırılmıştır. 100mA maksimum collector akımı, 250MHz transition frekansı ve 50V breakdown voltajı ile sinyal işleme, lojik seviyeleri ayarlama ve anahtar uygulamalarında kullanılır. Surface mount SOT-553 paketinde sunulan komponent, düşük güç tüketimi (maksimum 100mW) gerektiren taşınabilir cihazlar, entegre devre sürücüleri ve sinyal kondisyonlama devreleri gibi uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-553 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ESV |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok