Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1706JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
- Paket/Kılıf
- SOT-553
- Seri / Aile Numarası
- RN1706JE
RN1706JE(TE85L,F) Hakkında
RN1706JE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-553 yüzey monte paketinde sunulan bu komponent, entegre resistörler ile birlikte gelen bir pre-biased transistör çiftidir. Emitter bağlantılı yapısı sayesinde hızlı komütasyon uygulamaları için tasarlanmıştır. 250MHz transition frekansı ile sinyal işleme ve RF devrelerinde kullanılabilir. 100mW güç derecelendirmesi ve 50V Vce(BR) gerilim yeteneği ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Temel ön yükleme dirençleri (R1: 4.7kΩ, R2: 47kΩ) ile gelen tasarım, devre tasarım sürecini basitleştirir ve kompakt PCB yerleşimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-553 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ESV |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok