Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1705JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
- Paket/Kılıf
- SOT-553
- Seri / Aile Numarası
- RN1705JE
RN1705JE(TE85L,F) Hakkında
Toshiba RN1705JE(TE85L,F), SOT-553 surface mount paketinde sunulan ön beslemeli (pre-biased) dual NPN transistör dizisidir. İki transistörün emitter uçları birbirine bağlı (emitter coupled) konfigürasyonda tasarlanmış olup, entegre base ve emitter dirençleri ile birlikte gelir. 100mW güç sınırlaması ve 250MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarına uygundur. 50V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile genel amaçlı lojik seviyesi algılama, driver devre tasarımı ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Entegre 2.2kΩ base direnci ve 47kΩ emitter base direnci ile harici direnç tasarımına gerek kalmaksızın kullanıma hazır çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-553 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | ESV |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok