Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

RN1703JE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Paket/Kılıf
SOT-553
Seri / Aile Numarası
RN1703JE

RN1703JE(TE85L,F) Hakkında

RN1703JE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual NPN transistörüdür. SOT-553 SMD paketinde sunulan bu komponent, 100mA collector akımı ve 250MHz transition frequency ile çalışır. İç yapıda 22kΩ base ve 22kΩ emitter-base dirençleri bulunan bu transistör dizisi, logic seviyesi sürme uygulamalarında, sinyal anahtarlamada ve düşük güç amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 50V BVCEO darbeye dayanıklılığı ve 300mV doyum gerilimi, tasarım esnekliği sağlar. Aktif durum parçası olarak endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-553
Part Status Active
Power - Max 100mW
Resistor - Base (R1) 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22kOhms
Supplier Device Package ESV
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok