Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1702JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
- Paket/Kılıf
- SOT-553
- Seri / Aile Numarası
- RN1702JE
RN1702JE(TE85L,F) Hakkında
RN1702JE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-553 yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 100mW güç sınırlaması ile çalışır. Her bir transistör 100mA maksimum kolektör akımına ve 50V breakdown voltajına sahiptir. 10kΩ taban ve emitter direnç konfigürasyonu ile sahip olan bu bileşen, sinyal işleme ve lojik devre uygulamalarında kullanılır. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici bias direnci gerektirmeden doğrudan entegre devrelerde kullanılabilir. Özellikle düşük güçlü analog sinyal amplifikasyonu, voltage level shifting ve dijital lojik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-553 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | ESV |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok