Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
RN1701JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
- Paket/Kılıf
- SOT-553
- Seri / Aile Numarası
- RN1701JE
RN1701JE(TE85L,F) Hakkında
RN1701JE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. SOT-553 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, emitter coupled yapıda iki NPN transistörü içerir. 100mW güç kapasitesi ve 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 100mA collector akımı ve 50V breakdown voltajı ile çeşitli devrelerde entegrasyon sağlar. Her transistör için 4.7kΩ base ve emitter base direnç içermesi, ön beslemeli (pre-biased) yapısı sayesinde tasarım kolaylığı sunar. Lojik seviyelendirme, darbe şekillendirme, RF uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygulanır. 300mV maksimum saturation voltajı ile düşük güç kayıpları sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-553 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | ESV |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok