Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1444ATE85LF

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RN1444

RN1444ATE85LF Hakkında

Toshiba RN1444ATE85LF, NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. Entegre base direnç (2.2kΩ) ile birlikte gelen bu komponent, 20V maksimum collector-emitter gerilimi ve 300mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. TO-236/SOT-23-3 yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, düşük sinyal seviyesi anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 30MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. 200mW güç tüketim kapasitesi ile sınırlı güç uygulamalarında tercih edilir. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici biasing devrelerine gerek kalmaz, tasarımı basitleştirir. Ancak bu komponent üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 300 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition 30 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok