Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

RN1441ATE85LF

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.3A SMINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RN1441

RN1441ATE85LF Hakkında

RN1441ATE85LF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 300mA kolektör akımı ve 20V devre gerilimi ile çalışabilir. Entegre baz direnci (5.6 kΩ) sayesinde harici baz direnç gereksinimini ortadan kaldırır. DC akım kazancı (hFE) minimum 200 değerinde ve doyum gerilimleri oldukça düşüktür (100mV). 30 MHz transition frekansı ve 200mW güç derecelendirmesi ile sinyal işleme, anahtarlama ve düşük frekanslı amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Kompakt tasarımı ve ön yükleme özellikleri, lojik seviyeleri doğrudan amplifikasyon aşamalarına bağlamayı gerektirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 300 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition 30 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 5.6 kOhms
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok