Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1427TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1427
RN1427TE85LF Hakkında
RN1427TE85LF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 50V yıkılma voltajı ve 800mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. Entegre 2.2kΩ ve 10kΩ ön beslemeli dirençleri sayesinde bağımsız bias devreleri gerektirmez, tasarım ve PCB alanı tasarrufu sağlar. 300MHz transition frequency ile mantık seviyesi anahtarlama uygulamalarında, ses amplifikatörlerinde ve genel amaçlı sinyal işleme devrelerinde kullanılır. 200mW güç dağıtım kapasitesi ile sürekli çalışma ve düşük güç tüketimi gerektiren uygulamalara uygundur. DC akım kazancı (hFE) 100mA kolektör akımında 90'ın üzerindedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 300 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok