Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1426TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1426TE85LF
RN1426TE85LF Hakkında
RN1426TE85LF, Toshiba tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, kolektör akımı maksimum 800 mA ve kolektor-emiter gerilimi 50 V olan uygulamalar için tasarlanmıştır. İçerisinde 1 kΩ base resistor ve 10 kΩ emitter-base resistor bulunması, harici bias ağı tasarımı ihtiyacını ortadan kaldırır ve devreye monte edilme zamanını kısaltır. 300 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 200 mW maksimum güç tüketimi ile logic seviyesi sürücülük, sinyal amplifikasyonu, anahtar uygulamaları ve RF alıcı devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 300 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok