Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
RN1425TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- RN1425
RN1425TE85LF Hakkında
RN1425TE85LF, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu komponent, entegre baz ve emiter dirençleri içerir (R1: 470Ω, R2: 10kΩ). 50V kollektör-emiter gerilimi, 800mA maksimum kollektör akımı ve 300MHz geçiş frekansı ile düşük seviye sinyal anahtarlaması ve lojik uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 200mW maksimum güç tüketimi ve minimum 90 DC kazançı (hFE) ile kompakt tasarımlar, dijital kontrol devreleri, sinyal anahtarlama ve driver uygulamalarında tercih edilir. 250mV saturasyon gerilimi hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 300 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 470 Ohms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | S-Mini |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok